Компания Micron освоила производство модулей памяти
типа LRDIMM почти год назад, но они комплектовались 50 нм микросхемами
и имели объём не более 16 Гб. Если обратиться к истории вопроса, то тип
памяти LRDIMM (load-reduced dual-inline memory module) разрабатывался
специально для серверов, где за счёт использования интегрированного
буфера позволял снизить нагрузку на шину памяти, а заодно существенно
повысить частоту и максимальный объём в расчёте на один процессор.
Компания Samsung
вчера объявила, что во второй половине этого года начнёт массовое
производство модулей памяти типа LRDIMM объёмом 32 Гб, основанных на
микросхемах типа DDR3-1333, выпущенных по литографической технологии 40
нм класса. Каждый модуль содержит 72 микросхемы памяти типа DDR3 и
буфер, позволяющий снизить нагрузку на шину памяти на 75%.
Устанавливая в систему подобные модули памяти, можно увеличить объём
оперативной памяти до 384 Гб в расчёте на один процессор - это в
полтора раза больше, чем при использовании обычных модулей памяти типа
RDIMM объёмом 32 Гб. Модули памяти, представленные Samsung, имеют
номинальное напряжение 1.35 В или 1.5 В. Для производителей серверных
решений новые модули памяти открывают хорошие возможности.
|